半导体光刻技术是半导体制造中的核心工艺，用于在硅片上形成微电子器件的精细电路图案。其发展遵循摩尔定律，推动芯片集成度持续提升，制程节点从180nm逐步向50nm以下延伸。硅片直径从200mm过渡到300mm，提升生产效率并降低单位成本，同时对设备兼容性、工艺稳定性提出更高要求。
该技术涵盖多种曝光方法：光学曝光采用深紫外（DUV）与极紫外（EUV）光源，波长缩短至13nm以提高分辨率；电子束直写（EBDW）和限角散射投影（SCALPEL）通过电子束实现纳米级加工；X光与离子投影曝光（IPL）探索更高精度与效率。关键技术包括移相掩模（PSM）、光学邻近修正（OPC）以及新型抗蚀剂材料。设备厂商如ASML、Canon、Nikon等主导研发，推动193nm步进扫描等设备量产，并布局下一代技术如极紫外光刻（EUV）和缩小投影曝光（PREVAIL）。
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