分辨率是光刻工艺中衡量掩模版相邻两点在晶圆表面清晰成像的最小距离，其判定依据为英国物理学家瑞利于1896年在阿贝衍射极限理论的基础上延伸细化提出的瑞利判据 。核心公式为R=k₁λ/NA，其中λ为光源波长，NA为数值孔径（n·sinθ），k₁为工艺系数。浸没式光刻技术通过水介质（n=1.44）增大NA值，提升分辨率 。
光刻分辨率提升主要通过缩短光源波长、增大NA及优化k₁系数实现。技术演进从汞灯g线（436nm）到EUV（13.5nm），数值孔径从干式0.93提升至浸没式1.35 。分辨率增强技术（RET）如相移掩模、光学邻近修正（OPC）和离轴照明，通过抵消衍射效应提升成像精度 。多重曝光工艺进一步突破单次曝光极限，例如193nm浸没式结合SADP技术实现20nm线宽。EUV光刻机采用0.33NA系统已可支撑7nm至3nm制程生产，High-NA（0.55）系统的分辨率更高，主要用于2nm及以下更先进制程节点 。
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