IBIS模型（Input/Output Buffer Information Specification）是一种基于V/I曲线描述数字I/O端口电气特性的国际标准，由IBIS开放论坛制定并维护。该模型通过表格化电压-电流（V-I）和电压-时间（V-t）数据模拟芯片驱动器和接收器的行为，采用ASCII文本格式记录输出阻抗、上升/下降时间及封装寄生参数，不包含晶体管级电路细节。1993年首次发布1.0版，1995年成为ANSI/EIA-656标准，2019年更新至7.0版 。
模型结构包含[Power Clamp]、[GND Clamp]、[Pullup]、[Pulldown]四个关键I-V数据表，电压范围覆盖-VDD至2×VDD，并在典型值、最小值、最大值三个拐角获取参数。[Ramp]关键词定义转换速率dV/dt，V-t数据包含四种负载类型（以VDD/地为基准的上升/下降波形）。Power-Aware IBIS扩展模型通过引入电源噪声参数提升仿真精度。其优势包括仿真速度快、兼容EDA平台，但存在复杂反馈电路支持不足等局限 。
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