炉管是半导体制造中用于热处理、化学气相沉积（CVD）、氧化、扩散、退火等工艺的关键设备，又称半导体加热管 ，其核心部件包括石英管、加热元件、温控系统及气体输送与抽气装置 。在集成电路制造中，炉管设备承担氧化、扩散、退火、薄膜沉积等核心工艺 ，在14nm以下先进制程中炉管工艺占比进一步提升至30层以上，是决定芯片良率与性能的关键设备 。
国内企业在炉管设备领域持续推进技术研发与国产化，在立式炉管、氧化扩散退火设备以及低压化学气相沉积与原子层沉积等技术方向均有布局 。全球炉管设备市场高度集中，东京电子（TEL）、Kokusai Electric（KE）等海外厂商占据近90%市场份额，国内虽在常压炉（AP炉）领域实现较高国产化率，但在技术壁垒更高且价值量更大的低压炉（LPCVD）、原子层沉积炉（ALD）领域，国产化率仍不足5% 。
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